Please wait a minute...
 
材料工程  2001, Vol. 0 Issue (10): 27-30    
  研究与应用 本期目录 | 过刊浏览 | 高级检索 |
GaP薄膜的制备与性能研究
宋建全, 刘正堂, 郭大刚, 耿东生, 郑修麟
西北工业大学, 西安710072
Preparation and Properties of Gallium Phosphide Films
SONG Jian-quan, LIU Zheng-tang, GUO Da-gang, GENG Dong-sheng, ZHENG Xiu-lin
Northwestern Ploytechnical University, Xi’an 710072
全文: PDF(172 KB)   HTML()
输出: BibTeX | EndNote (RIS)      
摘要 利用磁控溅射法成功地制备出GaP薄膜,并对GaP薄膜的沉积速率、成分、结构及红外光学性能进行了研究。结果表明,沉积薄膜中Ga与P的原子比接近1:1,形成了GaP化合物,呈非晶态结构。设计并制备出GaP/DLC复合膜系,结果表明该膜系在8~11.5μm波段对ZnS衬底具有明显的增透效果。制备的GaP薄膜的硬度明显高于ZnS衬底的硬度,且与ZnS衬底结合牢固,可提供良好的保护性能。
服务
把本文推荐给朋友
加入引用管理器
E-mail Alert
RSS
作者相关文章
宋建全
刘正堂
郭大刚
耿东生
郑修麟
关键词 GaP薄膜射频磁控溅射增透保护膜系    
Abstract:GaP films have been prepared by RF magnetron sputtering of single crystalline gallium phosphide. The deposition rate, composition, structure, hardness and optical properties of GaP films have been also investigated. The results show that the atom ratio of gallium to phosphor is near 1:1 and the deposited films are amorphous compound GaP; Anti-reflective and protective films consisted by DLC and GaP films are designed and deposited on ZnS substrate. The results indicate that the average transmittance in the 8~11.5μm waveband is improved from 69.1% to 86.5% The hardness of GaP films (6860MPa) is much higher than that of ZnS substrate (2744MPa), and it also adhere ZnS substrate firmly, so GaP films could offer excellent protection for ZnS windows and domes.
Key wordsgallium phosphide films    magnetron sputtering    antireflective and protective films
收稿日期: 2000-12-06      出版日期: 2001-10-20
中图分类号:  TN213  
基金资助:航空基础科学基金(98G53104)资助
作者简介: 宋建全(1973- ),男,西北工业大学材料学院博士生,联系地址:西北工业大学72号信箱(710072).
引用本文:   
宋建全, 刘正堂, 郭大刚, 耿东生, 郑修麟. GaP薄膜的制备与性能研究[J]. 材料工程, 2001, 0(10): 27-30.
SONG Jian-quan, LIU Zheng-tang, GUO Da-gang, GENG Dong-sheng, ZHENG Xiu-lin. Preparation and Properties of Gallium Phosphide Films. Journal of Materials Engineering, 2001, 0(10): 27-30.
链接本文:  
http://jme.biam.ac.cn/new/CN/      或      http://jme.biam.ac.cn/new/CN/Y2001/V0/I10/27
[1] Swec D M, Mirtich M J. Proc SPIE, 1989, 1112: 162-173.
[2] Mackowski J M, Cimma B, Pignard R, et al. Proc SPIE.,1992, 1760: 201-209.
[3] 宋建全,刘正堂,于忠奇等.红外与毫米波学报,2000,19(4):266-268.
[4] LiuZT, ZhuJZ, XuXK, etal. J. ApplPhys, 1997,36:3625-3628.
[5] Gibson D R, Waddell E M, Wilson A D, et al. Opt Eng, 1994,33 (3): 957-966.
[6] Korenstein R, Goldman L, Hallock R, et al. Proc SPIE, 1997,3060: 181-195.
[7] 田民波,刘德令编译.薄膜科学与技术手册上册[M].北京:机械工业出版社,1991,408-412.
[8] Nicholson E D, Pickles C S J, Field J E, et al. Proc. SPIE,1994, 2286: 275-284.
[1] 彭洁, 李子全, 刘劲松, 蒋明, 许奇. 退火温度对Ge/SiO2多层膜的结构和光学性能的影响[J]. 材料工程, 2014, 0(9): 32-38.
[2] 刘广庆, 张帅, 刘孟寅, 李德军. 调制周期对ReB2/TaN纳米多层膜的结构和力学性能影响[J]. 材料工程, 2011, 0(10): 58-60,65.
[3] 王远, 周飞, 张庆文. Al2O3/CrNx复合膜的摩擦磨损特性[J]. 材料工程, 2010, 0(2): 42-46,51.
[4] 林东洋, 赵玉涛, 甘俊旗, 程晓农, 戴起勋. 钛合金表面磁控溅射制备HA/YSZ梯度涂层[J]. 材料工程, 2008, 0(5): 34-38.
[5] 刘心宇, 江民红, 周秀娟, 成钧, 王仲民. Al掺杂ZnO薄膜的射频磁控溅射工艺与光电性能研究[J]. 材料工程, 2008, 0(10): 215-218.
[6] 邱成军, 曹茂盛, 张辉军, 刘红梅, 田风军, 刘鑫. 磁控溅射制备掺银TiO2薄膜的光催化特性研究[J]. 材料工程, 2005, 0(10): 35-37,46.
Viewed
Full text


Abstract

Cited

  Shared   
  Discussed   
版权所有 © 2015《材料工程》编辑部
地址:北京81信箱44分箱 邮政编码: 100095
电话:010-62496276 E-mail:matereng@biam.ac.cn
本系统由北京玛格泰克科技发展有限公司设计开发 技术支持:support@magtech.com.cn