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材料工程  2010, Vol. 0 Issue (3): 8-12    
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AgSnO2触头材料电弧侵蚀特征的分子动力学模拟
于杰1,2, 陈敬超1, 周晓龙1, 叶未1, 邹妤1, 刘方方2
1. 昆明理工大学材料科学与工程学院, 昆明, 650093;
2. 云南省新材料制备与加工重点实验室, 昆明, 650093
Molecular Dynamics Simulation for Arc Erosion Morphology of AgSnO2 Materials
YU Jie1,2, CHEN Jing-chao1, ZHOU Xiao-long1, YE Wei1, ZOU Yu1, LIU Fang-fang2
1. Faculty of Material Science and Engineering, Kunming University of Science and Technology, Kunming, 650093, China;
2. The Key Lab for New Material of Yunan, Kunming, 650093, China
全文: PDF(1277 KB)   HTML()
输出: BibTeX | EndNote (RIS)      
摘要 研究电接触材料电弧侵蚀作用过程中灭弧过程的微观机理,采用分子动力学和实验的方法对反应合成的AgSnO2电接触材料的熔池行为进行模拟.结果表明:根据起弧时的物相所构建的模型,能够准确地模拟熔池特征,熔池内部物质运动和存在状态是决定耐电弧侵蚀的关键因素.可通过增加反应合成AgSnO2电接触材料与基体浸润的氧化物组分,以及氧化物发生物态变化、化学分解过程来达到熄弧的目的.
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于杰
陈敬超
周晓龙
叶未
邹妤
刘方方
关键词 AgSnO2电接触材料电弧侵蚀分子动力学熔池    
Abstract:AgSnO2 electrical contact material molten pool was simulated by Molecular Dynamics in order to study the microscopic mechanism for the arc quenching.The result shows that the model can simulate the characteristic of molten pool effectively which were set according to the molten pool phase,and the material movement and existing state are the key factors for electrical erosion resistance.Arc quenching can be realized by increaseing the oxygen composition in AgSnO2 electrical contact material,and the oxygen occur resolution reaction and phase change.
Key wordsAgSnO2 electrical contact material    arc erosion    molecular dynamics    molten pool
收稿日期: 2008-12-31      出版日期: 2010-03-20
中图分类号:  TB333  
基金资助:973前期研究专项(2008CB617609);云南省自然科学基金(2006E0019Q);昆明理工大学分析测试基金(2009-002)
作者简介: 于杰(1976- ),男,讲师,硕士,主要研究方向:新材料加工与制备与材料计算机模拟,联系地址:云南省昆明理工大学新材料制备与加工重点实验室(650093),E-mail:yujie_kmust.edu.cn@hotmail.com
引用本文:   
于杰, 陈敬超, 周晓龙, 叶未, 邹妤, 刘方方. AgSnO2触头材料电弧侵蚀特征的分子动力学模拟[J]. 材料工程, 2010, 0(3): 8-12.
YU Jie, CHEN Jing-chao, ZHOU Xiao-long, YE Wei, ZOU Yu, LIU Fang-fang. Molecular Dynamics Simulation for Arc Erosion Morphology of AgSnO2 Materials. Journal of Materials Engineering, 2010, 0(3): 8-12.
链接本文:  
http://jme.biam.ac.cn/CN/      或      http://jme.biam.ac.cn/CN/Y2010/V0/I3/8
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