电偶腐蚀法制备多孔硅的研究

房振乾, 胡明, 窦雁巍, 宗杨, 梁继然

材料工程 ›› 2006, Vol. 0 ›› Issue (11) : 45-48,52.

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材料工程 ›› 2006, Vol. 0 ›› Issue (11) : 45-48,52.
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电偶腐蚀法制备多孔硅的研究

    {{javascript:window.custom_author_cn_index=0;}}
  • {{article.zuoZhe_CN}}
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Study of Porous Silicon Prepared by Galvanic Corrosion Method

    {{javascript:window.custom_author_en_index=0;}}
  • {{article.zuoZhe_EN}}
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{{article.keyPoints_cn}}

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{{article.keyPoints_en}}

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{{article.zhaiyao_cn}}

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{{article.zuoZheCn_L}}. {{article.title_cn}}[J]. {{journal.qiKanMingCheng_CN}}, 2006, 0(11): 45-48,52
{{article.zuoZheEn_L}}. {{article.title_en}}[J]. {{journal.qiKanMingCheng_EN}}, 2006, 0(11): 45-48,52
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{{article.reference}}

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{{article.copyrightStatement_cn}}
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