退火温度对PECVD法制备SiO2/Si3N4光学薄膜性能的影响

吴立宇, 李小强, 王斌, 屈盛官

材料工程 ›› 2020, Vol. 48 ›› Issue (12) : 75-81.

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材料工程 ›› 2020, Vol. 48 ›› Issue (12) : 75-81. DOI: 10.11868/j.issn.1001-4381.2019.000894
研究论文

退火温度对PECVD法制备SiO2/Si3N4光学薄膜性能的影响

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Effect of annealing temperature on properties of SiO2/Si3N4 optical films prepared by PECVD method

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