掺杂单层MoS2电子结构的第一性原理计算

伏春平

材料工程 ›› 2016, Vol. 44 ›› Issue (12) : 80-83.

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材料工程 ›› 2016, Vol. 44 ›› Issue (12) : 80-83. DOI: 10.11868/j.issn.1001-4381.2016.12.013
材料与工艺

掺杂单层MoS2电子结构的第一性原理计算

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First Principles Calculation of Electronic Structure of Doped Monolayer MoS2

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